中信证券:NAND有望Q2起涨,模组环节将迎利润拐点

本篇跟踪点评聚焦主流存储,观察到原厂控产、产品结构升级之下,近期主流存储现货市场价格趋稳,部分低端料号微涨。随原厂控产影响显现,行业库存逐步消化,AI拉动需求提升,预计主流NAND Flash 价格有望于25Q2开涨,DRAM价格有望于25H2企稳向好,存储模组涨价早于晶圆端,国内模组厂商主要布局NAND产品,25Q2有望迎利润拐点,低价存货有望带来利润弹性,估值有望率先提升,建议关注模组环节投资机会。

价格追踪:24H2起存储价格下跌,近期部分低端料号现货上涨/波动。

——DRAM:周度现货价格中DDR4 16Gb/8Gb部分料号自2024年底至今波动上涨约6%,自2025年1月DDR4 8Gb/4Gb月度价格上涨5%/2%,其他DDR4价格底部徘徊,DDR3/DDR5价格跌幅持续收窄。本周DDR5日度现货价格微涨。

——NAND:现货市场32GB eMMC产品价格上涨,上游256Gb TLC NAND Flash Wafer价格小涨,更大容量的wafer及嵌入式、SSD价格仍跌。

供给变动:价格企稳及上涨预期主要受益原厂稼动率调降及减少低端产品供应。

——NAND:海外大厂减产逐步显现,主流NAND有望于25Q2开始涨价。海外大厂于2024年12月至2025年1月陆续公告减产10-15%,同时加快将产能向200层以上产品迁移,低价产品供应减少。

——DRAM:海外大厂聚焦高端存储,DDR3/DDR4供给有望逐步减少,DRAM价格有望于25H2企稳向好。预计2025年HBM占全球DRAM总产能将超过10%,2025年HBM占DRAM市场产值有望超30%。海外大厂聚焦HBM市场,退出DDR3后有望持续削减DDR4供应,行业供需有望改善。

价格展望:中信证券认为主流NAND Flash有望于25Q2开涨,涨价节奏来看,预计NAND Flash早于DRAM,模组环节早于晶圆环节,主流存储涨价早于利基存储。

25Q1原厂控产影响逐步显现,行业库存方面,经过两个季度调整手机客户库存趋于健康,25Q2有望逐步增大对低价存储的备货,此外云端及端侧AI共振,对存储需求拉动预计在25H2更为显著。据TrendForce预计,25Q1/25Q2/25Q3/25Q4 NAND Flash价格分别-18%~-13%/ 0~-5%/ +10%~+15%/ +8%~+13%,该口径包含晶圆及成品,预计在下游拉货下NAND模组成品有望于25Q2起涨价,DRAM价格有望于25H2企稳向好,存储模组涨价早于晶圆端。

风险因素:

下游需求不及预期;海外大厂产能调控不及预期;国产存储芯片客户拓展不及预期;地缘政治风险等。

投资策略:

主流存储NAND Flash价格有望于25Q2起涨,模组环节将迎利润拐点,估值提升有望先行。原厂控产、产品结构升级,近期主流存储现货市场价格趋稳,部分低端料号微涨。随原厂控产影响显现,行业库存逐步消化,AI拉动需求提升,预计主流NAND Flash 价格25Q2开涨,DRAM价格有望于25H2企稳向好,存储模组涨价早于晶圆端,国内模组厂商主要布局NAND产品(2024年营收占比约90%上下),25Q2有望迎利润拐点,存储周期底部备货水平有望提升,低价存货有望带来利润弹性,估值有望率先提升;云厂商上调资本开支,AI创新及国产化需求有望带动国内存储厂商出货量提升及产品升级,中长期成长空间大。

注:本文节选自中信证券研究部已于2025年2月27日发布的《电子行业存储板块跟踪点评—主流存储:NAND有望Q2起涨,模组环节将迎利润拐点》报告,分析师:徐涛S1010517080003;王子源S1010521090002;程子盈S1010523030002

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