联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成设计流片，预计明年底量产上市

联发科成功完成了首款基于台积电2nm制程的旗舰SoC设计流片，标志着其在芯片技术领域的又一重要突破，该芯片预计将于明年年底实现量产上市，有望为用户带来更快、更智能的终端体验，这一进展展示了联发科在持续推动半导体技术前沿的决心和实力。

9月16日消息，联发科今天在官网发文宣布，首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片（SoC）已成功完成设计流片（Tape out），成为全球首批2nm芯片之一，预计明年底进入量产并上市。

虽然官方并没有公布具体产品，但是从产品规划上来看已经很明显了，这无疑就是下一代的天玑9系旗舰——天玑9600。

据介绍，台积电的2 nm制程技术首次采用能够带来更优异的性能、功耗与良率的纳米片（Nanosheet）电晶体结构。

台积电的增强版2;nm制程技术与现有的N3E制程相比，逻辑密度增加1.2倍，在相同功耗下性能提升高达18%，并能在相同速度下功耗减少约36%。

联发科表示与台积电一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域，共同打造兼具高性能与高能效的芯片组，而此次合作更象征着MediaTek与台积公司坚实伙伴关系的全新里程碑。